高温同质缓冲层论文

p型导电ZnO：（Al，N，H）薄膜的制备及性能研究
论文摘要ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料,由于ZnO具有很高的激子束缚能（室温下为60meV）,激子增益可达到300cm-1,是一种可能的短波长发光器件材料,在...