高阻抗衬底论文

基于SiGe HBT的高频增益模块
论文摘要SiGeHBT以Si工艺为基础,因此器件工艺比较成熟,且造价低,易与现有的Si工艺兼容,其放大器功率附加效率PAE（PowerAdditiveEfficiency）可达...