共掺杂技术论文

不同N源制备Al-N共掺Zn1-xMgxO薄膜及其性能研究
论文摘要ZnO是Ⅱ-Ⅳ族宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度约3.3eV，激子结合能高达60meV。目前，ZnO是光电材料领域的研究热点，其p型电导掺杂和能带工程更是研究的重点。近...