![金属栅电极功函数和Fe基材料磁性及其功函数的自旋调制：第一性原理计算]()
论文摘要自上世纪60年代以来,集成电路、微电子技术一直遵循着摩尔定律快速发展,CMOS器件的尺寸始终按照一定的比例不断缩小,传统Si02尺寸缩小已经到了极限,因此需要High-...
![AlCu3及fcc金属表面功函数的第一性原理研究]()
论文摘要目前国内外对二元合金在不同应力、应变状态下功函数变化的研究主要采取实验方法,而理论研究相当匮乏。且由于实验方法的局限性,目前还不能成功地解释功函数变化的物理机制。为了深...
![金属栅/高K栅介质层/Ge MOS电容研究]()
论文摘要随着MOS器件尺寸的缩小,进一步提高器件工作性能面临诸多挑战。许多新技术被开发出来用以克服这些挑战,例如为降低栅极漏电流需用高κ栅介质代替传统的Si02栅介质；为解决引...
![单层纳米晶颗粒膜的可控性制备与电荷存储特性研究]()
论文摘要现如今,便携式移动电子产品在人们的日常生活中应用得越来越广泛,在这些产品内部,闪存发挥着重要的作用。未来闪存技术的发展要求可以概括为:储存容量更大,读写速度更快,数据安...
![基于MEMS的振动能量采集及其器件设计]()
论文摘要随着现代技术的飞速发展,逐步实现了从短距离到长距离,从有线通讯到无线通讯的转变,然而电池与电源线束缚了发展的空间。采用能量采集器收集工作周围环境的各种形式的能量,例如太...
![碳纳米管薄膜场发射电流的研究]()
论文摘要碳纳米管自1991年被发现以来,它以优异的物理、化学、电学等方面性能引起了广大学者的研究兴趣。碳纳米管具有纳米级发射尖端、大长径比、高强度、高韧性、热稳定性和导电性好等...
![Ni基全硅化物金属栅工艺、特性及表征技术研究]()
论文摘要随着CMOS器件尺寸的不断变小,一方面由于通过SiO2或SiON栅介质的隧穿电流呈数量级的增大,SiO2和SiON栅介质需要被具有更高介电常数（高k）的介质所取代,另一...
![纳米非晶碳膜制备及其场致电子发射性能研究]()
论文摘要本论文研究了微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD）制备条件对非晶碳膜场发射特性的影响，制备出了开启电场低、电流密度大的纳米含氢非晶碳薄膜；研究了非晶碳膜场致电子发射电...
