功率分析论文

GaN HEMT微波功率器件的内匹配模块研制
论文摘要GaN材料以其禁带宽度宽（3.4ev），耐高压，电子饱和速度高，电流密度大稳定性和导热性好等优良特性成为目前制作微波功率器件的首选材料[1]。作为继Si、GaAs之后的...