功率金属半导体场效应管论文

微波功率SiC MESFET大信号建模技术研究
论文摘要碳化硅（SiC）是第三代（宽禁带）半导体电子材料，SiC金属一半导体场效应管（MESFET）在高温、大功率、高频、抗辐射等领域有着广阔的应用前景。与目前已取得较好成果的...