![AlGaN/GaN HEMT功率器件测试及封装技术研究]()
论文摘要近年来,随着半导体技术的飞快发展,以及材料生长技术的突破,氮化镓（GaN）作为第三代半导体,已逐渐显示出其优势,二维电子气密度大和饱和电子迁移率高等,基于氮化镓（GaN...
![TrenchCoolMOS终端结结构设计和实现]()
论文摘要随着现代功率集成电路的发展,对功率器件的性能提出了更高要求。希望此类功率器件具有较高的击穿电压能力、低的导通电阻、高的工作频率、低自热效应以及较好的器件隔离性。本文介绍...
![新型MOS沟槽夹断型肖特基整流器的模拟研究]()
论文摘要功率半导体器件和功率集成电路作为整个半导体产业的重要分支,广泛应用于工业生产和社会生活。功率整流器是重要的功率半导体器件。在传统的P-i-N二极管和平面肖特基二极管（S...
![功率器件热阻的测量分析]()
论文摘要功率器件是集成电路的重要组成部分,由于自身特点,较大的驱动电流将产生很大的热量。随着温度的升高,器件的可靠性和失效率将大大增加,使用寿命也大大缩短,所以器件的散热能力尤...
![SOI LIGBT的优化设计方法研究]()
论文摘要绝缘栅双极晶体管IGBT（InsulatorGateBipolarTransistor）是MOS栅器件结构与双极晶体管结构相结合进化而成的复合型功率器件,具有功率MOS...
![嵌入式系统封装功率器件的可靠性建模与仿真]()
论文摘要功率器件采用嵌入式封装,可以减小尺寸和成本、增加功能、提高性能。但是由于热膨胀系数不匹配,填充材料与芯片界面会产生一定量的热应力,由此产生芯片翘曲、开裂等问题,其可靠性...
![高压功率器件结构设计及其静电保护]()
论文摘要在功率器件的制造中,广泛采用横向与纵向高压MOS管,利用其轻掺杂的漏端结构,完成耐压任务,达到应用于高压电路的目的。功率器件由于其较低的阈值电压与较高的击穿电压,可以用...
![一种新型功率器件：多孔硅LDMOS的设计和研究]()
论文摘要随着集成电路技术的不断发展,功率器件的研究受到了广泛关注,SOI（Silicon-on-Isolation）技术以其理想的介质隔离性能,相对简单的隔离工艺受到研究的重视...
![敖利波：空调控制器中功率器件的结温仿真分析论文]()
本文主要研究内容作者敖利波,江伟,曹俊,史波（2019）在《空调控制器中功率器件的结温仿真分析》一文中研究指出：控制器是空调产品的核心技术,其控制着空调系统的功率因数校正、整流...
