• InGaAs-MSM半导体红外探测器阵列研究

    InGaAs-MSM半导体红外探测器阵列研究

    论文摘要由于MSM器件本身的结构和工艺特点,使其天生具有一些优点,例如:低暗电流、低寄生电容、大带宽灵敏度、高速,以及与MOS场效应管工艺完全兼容的制造工艺。因此,MSM器件有...