光刻模拟论文

超深亚微米标准单元库的可制造性设计技术研究
论文摘要随着集成电路进入超深亚微米阶段,半导体制造工艺中广泛采用了亚波长光刻技术,导致光刻后硅片表面实际印刷图形和掩模图形不再一致。这种集成电路版图图形转移的失真,严重影响着最...
深亚微米标准单元的可制造性设计
论文摘要在集成电路的规模变得越来越大的今天，具有开发周期短、开发成本低和可靠性高等优点的专用集成电路(ASIC)得到了越来越快的发展，这中间性能优良的标准单元库成为连接ASIC...