![掺杂LiNbO3晶体光折变存储性能的研究]()
论文摘要采用提拉法（Czochralskimethod）生长Hf系列LiNbO3晶体,（Hf:LiNbO3、Hf:Fe:LiNb03、不同Li/Nb比Hf:Fe:LiNb03和...
![Ru：Fe：LiNbO3晶体缺陷结构及光折变性能的研究]()
论文摘要光学体全息存储器以其存储容量大、数据传输速率高、信息寻址速度快等优点,在现代存储技术竞争中显示出巨大的优势和良好的发展前景。铌酸锂晶体因其良好的光折变性能成为非常重要的...
![锆铁铌酸锂晶体的生长及其光折变性能研究]()
论文摘要Fe:LiNbO3晶体由于具有较高的衍射效率和灵敏度而成为最重要的全息存储材料之一。然而,Fe:LiNbO3晶体仍然存在两点不足之处,即响应时间长和抗光散射能力低。所以...
![铟铁铜掺杂铌酸锂晶体的制备及结构与光折变性能研究]()
论文摘要本文根据晶体生长理论并通过大量实验摸索,对掺杂铌酸锂晶体的生长工艺参数进行了详细地探索和优化,获得了一套较为成熟的晶体生长工艺。按照此工艺,采用提拉法生长出一系列外观形...
![钪系掺杂铌酸锂晶体生长及光全息存储性能]()
论文摘要采用提拉法生长出无宏观缺陷、光学均匀性好的Sc:Fe:LiNbO3晶体和Mg:Sc:Fe:LiNbO3晶体。摸索出生长高掺杂和不同锂铌比的掺杂铌酸锂晶体的合适工艺条件,...
![双掺铜铁近化学计量比铌酸锂晶体微观缺陷与光折变性能]()
论文摘要本文采用助熔剂提拉法生长了无宏观缺陷、光学均匀性较好的单掺铜（Cu:LiNbO3）和铜铁双掺（Cu:Fe:LiNbO3）近化学计量比铌酸锂晶体。并总结出了生长化学计量比...
![钪系掺杂铌酸锂晶体生长及全息存储性能]()
论文摘要采用提拉法生长出无宏观缺陷、光学均匀性好的Sc:Fe:LiNbO3晶体和Mg:Sc:Fe:LiNbO3晶体。摸索出生长高掺杂和不同锂铌比的掺杂铌酸锂晶体的合适工艺条件,...
![偶氮硝基苯接枝PVK基光折变材料的制备与性能研究]()
论文摘要光折变材料在光信息处理和数据存储等方面具有广阔的应用前景,引起人们极大的兴趣;有机聚合物光折变材料成为当今光折变材料研究的热点。但对于掺杂型聚合物光折变体系的相稳定性和...
![掺杂晶体光折变性能的研究]()
论文摘要本文采用提拉法,首次生长了Mg含量变化的Mg:Ce:Fe:LiNbO3晶体,根据晶体生长理论,改善掺杂LiNbO3晶体的生长工艺参数（温度梯度、晶体生长速度、晶体旋转速...
