光致发光论文

论文摘要对二十一世纪的电信业而言,带宽的需求正在不断增加。波分复用(WDM)技术的问世,大大提升了光纤传送的数据量。目前,一些关键技术的发展有望彻底改变这种状况。其一是应用大范...

论文摘要镶嵌于二氧化硅中的硅纳米晶是一种新型光学材料。与体块硅相比,其具有光致发光,电致发光甚至受激辐射的性质；与其它Ⅲ-Ⅴ族半导体发光材料相比,其具有与现代硅工艺兼容,制备简...

论文摘要硅（Si）基电子学和集成电路已成为当代发展电子计算机、通信、电子控制和信息处理等高科技领域的强大支柱,因此,硅基半导体电子产业已成为当今信息产业的主导。硅基发光材料能够...

论文摘要CuAlO2是一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族间接禁带半导体,在可见光范围内透明,直接光学禁带宽度约为3.5eV,是最早发现的Cu基p型半导体。CuAlO2在光电领域有其独特的性能,具...

论文摘要ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族直接宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,可实现室温下的激子复合发光,在短波长发光器件方面有广泛的应用,同时,Zn...

论文摘要ZnO是一种n型金属氧化物半导体,由于具有稳定的物理化学性能、成本低等优点而被广泛应用。基于ZnO纳米结构的纳米膜、纳米线、纳米带、纳米棒、纳米管、纳米球等常用于检测甲...

论文摘要ZnO是一种新型的II-VI族直接带隙宽禁带半导体材料,ZnO纳米材料兼具纳米材料特性和半导体材料两方面的独特性质,在液晶显示器、太阳能电池、功能纤维、污水处理、光催化...

论文摘要随着纳米技术的不断发展,在微观上具有各种形貌的纳米材料的研究引起了人们广泛的兴趣,这是由于纳米材料的物理性能和化学性能会随着材料的尺寸,组成和形貌的改变而变化。氧化锌是...

论文摘要微观的光信息传输要求有微纳尺度的光发射器。镶嵌于二氧化硅中的硅纳米晶（nc-Si:SiO2）作为一种具备稳定结构、较高发光效率的材料,是实现微纳激光器的良好选择。本文从...

论文摘要本文采用电化学阳极氧化法，在不同的电解液中通过改变电解电压、时间、电解液温度、浓度等因素制备出具有规则形貌和结构的钨酸盐，并对制备的钨酸盐进行光致发光性能研究。1.在饱...

论文摘要随着白光LED制备技术的不断发展以及应用领域的不断扩展,白光LED用荧光粉的性能和制备越来越受到人们的重视。利用荧光粉转换实现白光LED是现今研究的主流,尤其是可被蓝光...

论文摘要白光发光二极管（LED）作为节能、环保的新型照明光源,近年来受到越来越多的关注。目前的商业化生产主要是利用荧光粉转换实现白光LED,寻找能够提高白光LED显色性,可被蓝...

论文摘要由于高发光效率、节约能源、长寿命、环境友好、小体积及不含汞,白光发光二极管近十年来吸引了研究者们极大的注意。主要有两种方法制造白光发光二极管。目前最常用的方法是复合近紫...

论文摘要液晶共轭聚合物（LCCP）是将液晶基元引入到共轭聚合物中,集液晶性和发光性于一身。利用液晶基元在外力场下能自发取向的特点,可以有效地提高和控制主链的有效共轭程度,从而得...

论文摘要硅纳米孔柱阵列（Si-NPA）独特的多孔阵列结构,以及其优异的光吸收性能,使得宽带隙半导体/Si-NPA复合体系在太阳能电池领域具有重要的科学意义和应用价值。本文采用水...

论文摘要本论文中,研究了新疆艾丁湖无水芒硝的物理化学性质,以新疆艾丁湖无水芒硝作为发光基质材料,采用热处理法制备了分别Cu和Mn掺杂无水芒硝荧光粉,并研究了在室温下的光致发光性...

论文摘要半导体纳米材料因其独特的光、电、磁以及机械性能,在纳米光学器件和功能材料等诸多领域显示了潜在的广阔应用前景。近年来,由于Ⅱ—Ⅵ族半导体纳米材料在光电子等领域所表现出的独...

论文摘要电子回旋共振等离子体辅助脉冲激光沉积（electroncyclotronresonanceplasmaassistedpulsedlaserdeposition,ECR...

论文摘要一维纳米材料不同于体相材料的新奇性质,一直以来都受着人们的广泛研究和关注。本文利用简单的一步化学气相沉积法合成了几种一维微/纳米结构,如纳米六角片、纳米线、纳米带、掺杂...

论文摘要ZnS是Ⅱ-Ⅵ族重要的一种化合物,自然界中存在具有闪锌矿结构的立方相和纤锌矿结构的六方相两种变形体,其对应的禁带宽度分别为3.66eV和3.8eV。由于具有优越的发光性...