光致发光论文

论文摘要硅藻细胞壁结构自微米级至纳米级的多样性,及其在纳米技术上的潜在应用性成为了材料领域新的热点。本文通过建立溶液配位反应-沉淀反应多重平衡合成前驱体的方法,成功合成了基于圆...

论文摘要本文主要介绍了通过射频等离子体增强化学气相沉积法,利用SiHH4和Ar作为反应气体,在不同的射频功率条件下进行气相沉积反应,制备出具有良好多晶结构的硅基发光薄膜。并对薄...

论文摘要光通讯是20世纪70年代以后发展起来的新的通信技术。光通信被认为是通信发展史上一次革命性的进步,它对人类由工业化社会向信息化社会的进步,有着不可估量的推动作用。而光通信...

论文摘要多孔硅的研究主要集中在提高其光致发光强度和稳定性上,本论文通过电化学腐蚀制备多孔硅,研究了制备条件对多孔硅光致发光的影响,同时运用酸处理和阴极还原处理探讨了后处理对多孔...

论文摘要ZnO是一种重要的II-IV族直接宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,被认为是一种有广阔应用前景的紫外光发射材料。同时它也是一种多...

论文摘要最近,低维纳米ZnO半导体材料以其独特的特性及未来在光电子器件、压电子器件、纳米传感器件的应用潜力,受到了全球相关领域研究人员的瞩目,低维纳米ZnO半导体材料的制备及特...

论文摘要近年来，作为一种重要的半导体材料，ZnO纳米结构尤其是一维纳米结构材料引起了人们极大的研究兴趣。ZnO独特的物化性质，使ZnO纳米结构材料不但适合做基础研究，而且具有许...

论文摘要本文采用热蒸发法,以ZnS粉末为基本源材料制备了ZnS及其Sn掺杂一维纳米结构,通过Zn和S粉末反应制备了分支状ZnS及其Sn掺杂微纳米结构、球状ZnS微纳米结构和Mn...

论文摘要本论文分两部分,第一部分系统研究了一维硫属化合物纳米材料的可控合成、表征、掺杂、合金化以及相关的硫属化合物基一维纳米器件（NANOdevice）的制备、性能测量与分析。...

论文摘要氧化物纳米材料具有独特的物理与化学特性,在发光、光电转化、化学传感、催化、生物医学和电化学储能等诸多领域都有着广泛的应用潜力。本文分别利用气相法和液相法合成了氧化硅、Z...

论文摘要一维纳米材料不仅是研究电、光、磁、热等基本物理性质尺寸与维度依赖的理想体系,而且可以作为连接与功能组元在“由下至上”设计与构建新一代电子、光电器件中发挥不可替代的作用。...

论文摘要本论文工作主要围绕ZnO单晶展开,探索性地采用激光辐照的方法对ZnO单晶进行了处理,并以光致发光（PL）光谱、拉曼散射、布里渊散射为主要表征方法,配合XRD,SEM技术...

论文摘要通过设计合成,作者制备了In掺杂ZnO/GeO2核-壳的纳米结构、金属（合金）衬底上生长的ZnO、ZnS、In2O3微纳结构以及海胆状TiO2、ZnO微纳结构并对其形成...

论文摘要低维半导体纳米材料由于其具有独特的理化特性近来得到了人们的广泛关注。半导体纳米线已经成为纳米科学领域内的研究热点问题。基于半导体纳米线的纳米器件已经应用到光电子器件、能...

论文摘要近二十年来,在科学家们的积极探索和不断努力下,对以ZnO、SnO2、TiO2、A12O3为代表的金属氧化物半导体纳米材料的研究取得了一系列引人注目的成果,并在紫外激光、...

论文摘要金属纳米颗粒的光学性质及其在表面荧光增强中的应用是当今纳米科学研究中的一个热点。利用金属表面自由电子振荡与材料发光的相互作用产生共振,从而实现材料发光增强已经成为一种增...

论文摘要近年来,白光LED由于即将应用于普通照明而受到较大关注,获取白光的传统办法是用GaInN蓝光LED芯片激发黄色荧光粉YAG：Ce3+.然而,由于红色组分的缺乏,以这种途...

论文摘要碳化硅（SiliconCarbide,SiC）是一种宽禁带、高热导率、大击穿电场和高饱和速率、小介电常数的半导体材料,非常适合于制造耐高温、大功率、高频电子和光电子器件...

论文摘要氧化锌（ZnO）是直接带隙宽禁带化合物半导体材料,其禁带宽度为3.37eV,在室温下拥有60meV的激子束缚能,具有高的热稳定性和卓越的光学性质,因此,ZnO成为继Ga...

论文摘要常压等离子体增强化学气相沉积（Plasma-enhancedchemicalvapordeposition）是使原料气体在电场中成为等离子体状态,产生化学上非常活泼的激...