论文摘要二氧化锡(SnO2)是一种宽带隙半导体,其带隙约3.6eV且具有较高的激子束缚能130meV,室温稳定化学稳定性高,广泛应用在气敏元件、太阳能电池及电极等材料中,是一种...
论文摘要铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜,一种新兴的宽禁带半导体材料,其透明导电性可广泛应用于制备透明电极和太阳能电池的透明窗口材料,其紫外发光性能可应用于紫外探测器和激光器。AZO...
论文摘要氧化锌(ZnO)是一种重要的直接带隙半导体材料,禁带宽度3.37eV激子束缚能60meV。由于其宽的带隙、高的激子束缚能、优良的压电性质、大的比表面积和作为半导体的特点...
论文摘要本文报道了利用溶剂热法制备ZnxCd1-xS固溶体的方法。并利用这种方法合成了Zn含量从0连续过渡到1的ZnxCd1-xS样品,讨论了ZnxCd1-xS样品的晶体结构和...
论文摘要镶嵌在母体基体中的纳米晶会受到明显的应力作用。所以探究纳米晶在生长过程中受到的应力在对其光学和电学性能的影响,对未来的技术应用有重要的意义。在本文中,通过二维有限元计算...
论文摘要以Y(NO3)3-6H2O、NH4VO3和Eu2O3为出发原料,采用NAC-FAS方法在<100℃的温度的常压、大气条件下合成了YVO4和YVO4:Eu3+纳米晶...
论文摘要纳米技术通过在1~100nm这一尺度范围内操控材料,使其表现出异于其宏观状态的现象和相关性能,从而为我们提供了创造功能化的优良材料、器件和体系的方法和工具。产生至今,因...
论文摘要In2O3是一种重要的n型宽带隙半导体材料,具有较高的可见光透过率和红外反射率,主要应用于光电装置的透明导电薄膜。In2O3纳米结构材料以其不同于块体材料的微观形貌、光...
论文摘要采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备了高度择优取向的ZnO:Al薄膜。结果表明:制备的ZnO:Al薄膜为六角纤锌矿结构,且具有明显的c轴择优取向;Al离子的掺杂浓度和退火温...
论文摘要氧化锌是一种重要的直接宽禁带半导体材料,室温下其禁带宽度为3.37eV和较大的激子束缚能(~60meV)。同时它也是一种多功能氧化物材料,在光电、压电、热电等各个领域都...
论文摘要纳米材料由于具有体相材料所不具备的新奇的物理与化学性质引起了人们广泛的研究和关注。在本论文中,采用几种不同的方法合成了几种不同的纳米结构——用气相沉积法合成了SnO2纳...
论文摘要有机小分子太阳能电池由于其良好的应用前景,近十年来一直是研究领域的热门话题之一。然而,以现在有机太阳能电池的效率和寿命,仍旧远远不能满足工业化的要求。由于人们对有机太阳...
论文摘要本论文主要采用液相化学法控制合成In2O3级次结构纳米材料,并探讨其形成机制及内在规律。分别从纳米结构材料的制备、形成机理以及性质表征几个方面进行论述,内容涉及水溶液体...
论文摘要ZnO是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,它具有良好的化学稳定性和热学稳定性。在室温下,它的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,如此高的激子束缚能使Zn...
论文摘要近年来,氟(氧)化物功能材料因其在超导电性、磁性材料、催化以及电发光材料等方面的应用而成为近年来研究的热点。本论文的主要研究目的在于利用液相的化学路线对氟(氧)化物功能...
论文摘要具有超晶格结构的InMO3(ZnO)m同系物化合物,由于拥有优良的光电性能,一直受到人们的关注。近年来,大量的InMO3(ZnO)m准一维超晶格纳米线被成功制备。但是到...
论文摘要采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料,它可用来制作非制冷红外探测器。分析了In...
论文摘要半导体发光材料正以飞快的速度影响着当今世界的众多领域,医学、国防及人类生活的方方面面都需要更加高质量的发光材料来满足人类的需要,所以对半导体发光材料发光特性的表征及深入...
论文摘要本论文主要探讨利用溶胶-凝胶方法制备具有纳米结构的金属氧化物气凝胶,并对其微观结构和性质进行了研究。内容包括气凝胶的制备过程、微观结构的表征和制备条件的选择,检测了金属...
论文摘要本论文以金属镓和单质锗片为原料,分别在镓颗粒和单质锗片上原位火面积生长出了GaN纳米带、z字结构纳米线和GeO2纳米线以及图案化GeO2微米线。研究了它们的形貌、晶体结...