光致发光论文

  • 掺杂SiC薄膜的制备及性能研究

    掺杂SiC薄膜的制备及性能研究

    论文摘要本论文采用射频磁控溅射和高温退火的方法成功制备了晶格完整性良好,表面均匀致密的SiC薄膜,并通过靶面贴片的方法制备了掺Mn,掺Co和Co、Mn共掺的SiC薄膜,然后进行...
  • 一维ZnO纳米结构的水热法制备及其发光特性

    一维ZnO纳米结构的水热法制备及其发光特性

    论文摘要本论文采用水热法,在金属锌片上制备了ZnO纳米锥阵列、纳米螺旋桨阵列和锥状、子弹头状、短棒状的纳米颗粒;采用ZnCl2辅助的热氧化法在锌片上制备出了ZnO纳米棒阵列。研...
  • ZnO:Eu3+纳米晶材料的制备及其发光性能的研究

    ZnO:Eu3+纳米晶材料的制备及其发光性能的研究

    论文摘要发光是物体将某种方式吸收的能量转化为光辐射的过程。光致发光则是指物体在吸收光能后进行蓄光而后发光的现象。光致发光材料的应用非常广泛,它在电视、电脑、荧屏、荧光灯上的应用...
  • 掺铝氧化锌薄膜及纳米棒阵列的制备与表征

    掺铝氧化锌薄膜及纳米棒阵列的制备与表征

    论文摘要ZnO∶Al(ZAO)透明导电薄膜具有优良的光电性能,被认为是ITO薄膜的理想替代品,在平板显示、电磁屏蔽、热阻挡层、气敏传感器、太阳能电池等领域具有广阔的应用前景。同...
  • 不同形貌ZnO纳米结构的制备及其发光性能研究

    不同形貌ZnO纳米结构的制备及其发光性能研究

    论文摘要氧化锌(ZnO)是一种重要的直接宽带隙半导体无机材料,具有六角形纤锌矿晶体结构,室温下的带隙宽度约为3.37eV,激子结合能高达60meV。纳米ZnO表现出与体材料明显...
  • a-Si/a-SiNx超晶格材料的发光与非线性光学效应的研究

    a-Si/a-SiNx超晶格材料的发光与非线性光学效应的研究

    论文摘要近年来硅基纳米材料的研究已成为光电子领域中的一个新的热点,它的核心问题是如何实现高效率的硅基发光器件,以便于同其他的硅基光电子器件和微电子器件做在同一芯片上,实现单片光...
  • 纳米Si-SiNX复合薄膜发光与非线性光学性质的研究

    纳米Si-SiNX复合薄膜发光与非线性光学性质的研究

    论文摘要半导体硅基材料是电子技术、信息技术领域最为重要的基础材料之一。近年来,研究和开发以硅为基质材料的光子器件乃至实现光电集成(OEIC)已成为半导体光电子学领域需攻克的重大...
  • 硅衬底晶体结构对LiNbO3薄膜生长的影响

    硅衬底晶体结构对LiNbO3薄膜生长的影响

    论文摘要现代科学的热门领域是光电集成和光子学集成,其中光电集成是将光-电两种信号的处理功能集成在一块芯片上,光子学集成研究的重要内容是集成光的发射、调制、接收和处理功能的光学器...
  • 钨酸盐与金属氧化物相互掺杂的纳米复合薄膜制备及发光性能研究

    钨酸盐与金属氧化物相互掺杂的纳米复合薄膜制备及发光性能研究

    论文摘要金属钨酸盐作为一种重要的无机材料在很多领域都有广泛的应用,如用作闪烁晶体、激光器、医学检测器等。纳米颗粒与其体相材料相比具有更优异的光、电、磁和催化性质,而纳米薄膜则以...
  • ZnO纳米结构的制备及其发光特性研究

    ZnO纳米结构的制备及其发光特性研究

    论文摘要本工作分别采用热蒸发技术和螺旋波等离子体辅助射频溅射技术研究了一维ZnO纳米线和二维ZnO量子阱结构的制备过程。对一维ZnO纳米线,通过扫描电子显微镜、X射线能谱、X射...
  • 硅纳米结构的溶剂热法合成与表征

    硅纳米结构的溶剂热法合成与表征

    论文摘要本文采用不同反应体系的溶剂热法合成了多种一维硅纳米结构,通过X射线粉末衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、红外吸收光谱和光致发光谱等测试方法对试样进行了表征,并...
  • 低维过渡金属硫族纳米材料的液相控制合成、表征以及性质研究

    低维过渡金属硫族纳米材料的液相控制合成、表征以及性质研究

    论文摘要在众多的半导体纳米材料中,ZnS纳米材料以其优良的光电性能引起了许多科学家的极大关注。用有机物对ZnS纳米粒子表面进行修饰,改变反应条件实现对ZnS纳米粒子的形貌、粒径...
  • 化学池沉淀法生长的银、镁、钴掺杂氧化锌薄膜的研究

    化学池沉淀法生长的银、镁、钴掺杂氧化锌薄膜的研究

    论文摘要氧化锌(ZnO)薄膜是一种新型的宽禁带半导体材料,在透明导体、太阳能电池、表面声波器件、紫外激光、稀磁半导体材料等领域有广泛的应用。本文使用了一种新的化学池沉淀生长方法...
  • 表面修饰多孔硅的形貌和光致发光特性研究

    表面修饰多孔硅的形貌和光致发光特性研究

    论文摘要硅是一种重要的半导体材料,将成熟的硅基微电子技术与光电子技术结合起来,实现光电子集成是现代信息技术发展的主要方向,但硅是窄间接带隙半导体,发光效率低下,这成为实现硅基光...
  • 聚合物/无机半导体纳米纤维的制备及其光学性能研究

    聚合物/无机半导体纳米纤维的制备及其光学性能研究

    论文摘要自从1991年Lijima等发现碳纳米管以来,一维(One-dimensional,1D)或者准一维纳米材料的制备和功能研究开始引起科学家和企业的广泛关注。目前,制备一...
  • 离子注入GaN的光学和电学特性研究

    离子注入GaN的光学和电学特性研究

    论文摘要宽带隙半导体材料——GaN,由于其优良的物理和化学性质,使其在短波区发光器件、极端条件(譬如辐射环境)器件等领域有着重要和广泛的应用潜力和良好的市场前景。故而,对于Ga...
  • 低维ZnO纳米结构的制备及其性能研究

    低维ZnO纳米结构的制备及其性能研究

    论文摘要低维ZnO纳米结构的可控合成,能够实现其性能调制,对其在未来光电子器件方面的应用有着极其重要的科学意义,正受到人们的高度关注,是纳米材料科学与技术领域中的研究热点之一。...
  • 半导体纳米线及其阵列可控生长和物性研究

    半导体纳米线及其阵列可控生长和物性研究

    论文摘要近年来,一维纳米结构,例如纳米管、纳米线、纳米带,以及纳米同轴电缆等,引起了人们广泛的研究兴趣,不仅是因为它们是研究尺度和维度决定的物理和化学性质的理想体系,而且它们在...
  • 碳化硅纳米线的制备、性能与机理研究

    碳化硅纳米线的制备、性能与机理研究

    论文摘要近年来,半导体纳米线由于具有独特的电学、光学及力学等性能,在新型纳米光电子器件领域拥有广阔的应用前景,因而引起了研究者的极大关注。碳化硅(SiC)半导体材料是继第一代元...
  • ZnO纳米结构的制备、表征及其光学性质研究

    ZnO纳米结构的制备、表征及其光学性质研究

    论文摘要氧化锌(ZnO)是一种重要的直接宽带隙化合物半导体材料,具有优良的压电、热点、光电特性,其禁带宽度为3.37eV,室温下激子束缚能高达60meV,远高于其它半导体材料。...