论文摘要本文旨在开发基于稀土配位化学原理的无机-有机杂化发光材料的制备,并研究其发光性质,以发展为一类新型的高性能发光材料。本文的第一部分主要通过分子修饰改性技术在能够敏化稀土...
论文摘要近年来,纳米Ge镶嵌绝缘介质基体由于在光电子及量子器件等领域表现出优异的光学特性和广阔的应用前景,引起了人们的重视。然而,到目前为止,对于Ge纳米粒子镶嵌的绝缘介质基体...
论文摘要本文采用射频磁控溅射法制备了LiNbO3/Si、LiNbO3/SiO2/Si结构薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线小角衍射、电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)和傅...
论文摘要本文综述了纳米材料的特点及其制备过程,重点阐述了sol-gel技术及其单分散SiO2球的制备,介绍了稀土有机配合物的特点种类及其荧光性能,对比分析各类生物荧光标记物的优...
论文摘要在本论文中,我们分别采用了热蒸发法、溶液处理法以及水热合成法等不同方法,制备出形貌各异的ZnO微米/纳米结构,如纳米梳、纳米棒、纳米线、纳米带、针管状纳米结构、双节棍纳...
论文摘要氧化锌是一种Ⅱ-Ⅺ族宽禁带隙(3.30eV)氧化物半导体材料。具有较大的激子束缚能(~60meV),可以实现室温下的紫外受激辐射,是一种很有前途的紫外光电子器件材料,极...
论文摘要合成许多烯丙基化产物的一种直接而可靠的方法就是在过渡金属催化下,烯丙醇衍生物和亲核试剂在烯丙基位上发生亲核取代反应。相比而言,文献报道的过渡金属催化的炔丙醇衍生物和亲核...
论文摘要传统的微电子技术存在物理极限和人们对信息处理能力越来越高的要求使得信号的处理可能由电信号向光信号转变。氧化硅具有优良的绝缘性能,晶体的氧化硅具有良好的光导性能,通过对氧...
论文摘要通过静电纺丝制备聚丙烯腈(PAN)纳米纤维毡,采用水热法在二乙烯三胺/去离子水的混合溶剂中于180℃下制备ZnSe/聚丙烯腈纤维纳米毡复合材料。使用扫描电镜(SEM)、...
论文摘要ZnO是一种宽禁带的直接带隙半导体材料,具有较高的激子束缚能(60eV),即使在室温条件下激子也不会分解,可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探...
论文摘要1990年,英国科学家Canham首次观察到室温下多孔硅强的可见光致发光,并用量子限制效应进行了解释,使多孔硅迅速成为世界范围内的研究热点。硅是微电子学中应用最为广泛的...
论文摘要本论文主要涉及M2-xEuxSnO4(M=Ca,Sr)红色荧光材料的制备和性能研究,包括采用氨水沉淀法和草酸铵沉淀法两种方法合成Ca2-xEuxSnO4红色荧光材料,采...
论文摘要ZnO是一种宽带隙半导体材料(3.37eV),激子束缚能大(60meV),在室温下容易获得强的激子发射,可能成为紫外激光的重要材料。由于ZnO(002)晶面表面自由能最...
论文摘要近几年,光电功能材料一直是多个学科研究的前沿和热点,在生物检测、防伪商标、荧光探针、OLED(organiclight-emittingdevice)显示器等方面具有广...
论文摘要ZnO是一种宽带隙的半导体材料,具有六方纤锌矿结构,室温下它的能隙宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,可实现室温下的紫外受激发射,在表面声波器件、紫外光探测器...
论文摘要本论文采用原位热氧化法、常压化学气相沉积法和水热法,制备了二氧化锗纳米线和纳米锥。研究了它们的形貌、晶体结构、发光和Raman特性,提出了可能的生长机理,发现了紫外光的...
论文摘要ZnO是新一代宽禁带、直接带隙的多功能II-VI族半导体材料。Zn0纳米材料在光电器件、表面声波和压电材料、场发射器件、传感器、紫外激光器、太阳电池等方面均具有广泛的应...
论文摘要同小分子电致发光器件相比,聚合物电致发光器件由于制作工艺简单、热稳定性好、器件效率高,可以制作大面积及柔性器件等优点,成为当今国际平板显示技术领域研究的热点之一。本文在...
论文摘要采用柠檬酸络合溶胶-凝胶(Sol-gel)法,以钛酸丁酯为前驱体,柠檬酸为络合剂,无水乙醇为溶剂,Y3+和Er3+分别以Y(NO3)3·5H2O、Er(NO3)3·5H...
论文摘要硅是具有良好半导体特性的材料,是微电子的核心材料之一。可硅材料不是好的发光材料。只有当硅纳米微粒的尺寸小到一定值时,才可在一定波长的光激发下发光。硅纳米晶薄膜发光材料在...