光致发光论文

论文摘要基于4f电子能级跃迁的稀土离子(特别是Eu3+和Tb3+)的配合物具有优良的光致发光特性。但纯稀土配合物的光稳定性和热稳定性较差,限制了它们的更广泛应用。因此寻找合适的...

论文摘要同小分子有机电致发光器件相比,聚合物电致发光二极管由于制作工艺简单、荧光量子效率高、热稳定性好、容易大面积化等特点,在彩色大屏幕平板显示领域受显示出了广阔的应用前景,成...

论文摘要本论文旨在通过对硅系纳米复合薄膜的制备方法、结构特征及光电性能的研究,探讨微结构对材料物性的影响规律,以期达到通过调整工艺参数控制材料微结构,进而控制材料物性的目的,实...

论文摘要本论文利用浮区法,基于自成核、自生长理论,不用晶种,使用最新型4椭球面反射镜红外聚焦浮区炉（FZ-T-10000-H-VI-VP）在高氧压下首次生长出低缺陷的ZnO晶须...

论文摘要多孔硅的研究与开发对于实现硅基光电集成电路具有重要意义。稀土掺杂多孔硅可以获得从紫外、可见到红外波段的有效发光,可应用于各类光电器件中。本论文主要在多孔硅的制备工艺改进...

论文摘要在半导体材料的发展中，一般将Si，Ge称为第一代电子材料，GaAs，InP，GaP，InAs，AlAs等称为第二代电子材料，而将宽带隙高温半导体ZnO，SiC，GaN，...

论文摘要在Ⅲ族氮化物半导体中,InN具有优异的电子输运性质,在高频厘米和毫米波器件应用上具有独特的优势,这些特性引起人们对InN的极大兴趣。同时,近两年来的研究表明InN的带隙...

论文摘要SiO2具有良好的化学稳定性和热稳定性,与硅半导体材料良好的界面结合,在催化剂载体、介质层材料以及硅基光电子材料等领域具有广泛的应用。进一步研究光学性能发现SiO2中存...

论文摘要Ⅲ-N材料及其掺杂特性尤其是p型材料的性质，是影响其在电子和光电器件应用方面的主要因素。本论文内容围绕GaN材料的射频等离子体分子束外延生长及其掺杂特性研究展开。以探讨...

论文摘要纳米材料是最重要的研究前沿之一。因为这类材料在物理学、化学、电子学、光学和生物医学等领域有着广泛的应用前景。本文介绍了作者在攻读博士学位期间,利用扫描电子显微镜、荧光光...

论文摘要有序介孔材料突破了原有的沸石分子筛孔径范围过小的局限，将分子筛的规则孔径从微孔领域（＜1.5nm）拓展到了介孔领域（＞2nm）。这类新颖的多孔材料具有规则且连续可调的纳...

论文摘要准一维纳米材料,如纳米管、纳米线、纳米带等,以其特殊的物理和化学性质,以及在纳米器件、光电子器件、微传感器等多方面潜在的应用前景,已成为纳米科技研究的热点。目前国内外对...

论文摘要本论文详细描述了苯氧基四取代的酞菁8～23的合成、表征、电化学、变温紫外可见光谱、光致发光和电致发光性质研究。酞菁8～23经质谱、氢核磁、紫外可见吸收光谱、元素分析的表...

论文摘要一维ZnO纳米材料以其新颖的物理、化学和生物学特性以及在纳米器件中的潜在用途成为当今纳米技术的研究热点。而一维纳米结构ZnO材料大规模、低成本和简单有效的合成与组装无论...

论文摘要介孔分子筛具有有序的孔道、丰富的表面羟基和形貌。利用介孔分子筛有序孔道为模板，经过前驱物渗透→前驱物转化→脱模制备一维材料，文献中已有很多报道。事实上，由于扩散阻力的影...

论文摘要ZnO作为一种宽禁带,高激子结合能的氧化物半导体,以其优越的磁、光、电以及环境敏感等特性而广泛地应用于透明电子元件、UV光发射器、压电器件、气敏元件以及传感器等领域。Z...

论文摘要半导体纳米材料由于其独特的光电特性受到人们的极大关注,其中ZnO是一种直接带隙的半导体材料,室温下能隙宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,具有优良的物理和化学...

论文摘要稀土发光化合物以其优良的光学性能一直受到人们的重视,但有机发光分子光化学、热和机械不稳定性限制了它的实用化,因此寻找适宜的载体是解决有机发光应用的途径。本文选择具有规整...

论文摘要1997年首次发现ZnO室温紫外受激发射以来,ZnO研究已成为紫外发射材料研究的热点。特别是近年来纳米技术的兴起引起人们对低维结构性质的极大兴趣。在低维结构中载流子被束...

论文摘要该文介绍了磁控溅射沉积技术的基本原理、发展及应用。简述了MgO、Al2O3薄膜的应用及其制备方法。介绍了实验中使用的非平衡中频孪生磁控溅射沉积系统的组成、性能。以镁靶为...