论文摘要为了适应半导体集成电路制造技术的发展,CMOS晶体管的栅极在结构上和材料上经历了一系列的演变。作为金属栅的热门候选材料之一,硅化镍(NiSi)由于在耗硅量、热预算、电阻...
论文摘要随着深亚微米超大规模集成电路的发展,芯片集成度的一再提高,工艺的特征线宽也随之减小,金属化工艺也面临了更大的挑战,同时也推动了新材料、新技术的不断进步和发展,而传统工艺...
论文摘要为了提高集成电路的生产率,避免芯片中部分器件失效而导致整个电路失效,而引入了基于熔丝技术的冗余技术。电编程熔丝(eFUSE)以其体积小、成本低廉、可缩小性强、可以在封装...
论文摘要本论文利用RBS等分析测试手段分别研究了在退火前后磁控溅射及离化团簇束沉积Cu薄膜和不同Si衬底之间的扩散和界面反应。利用反应扩散理论及硅化物的生长理论对实验结果进行了...
论文摘要一维纳米材料由于具有大的长径比、高的各向异性、特殊的结构以及易于组合成器件等特点,引起了国内外研究者的极大兴趣。对一维纳米材料形貌的控制、生长机理的探索以及各种性能的测...
本文主要研究内容作者马一林,张良学,林乃明,秦林,田林海(2019)在《渗硼温度对Inconel625合金渗硼层组织及耐磨性的影响》一文中研究指出:采用固体颗粒渗硼技术对Inc...