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离子注入法制备富硅氧化硅薄膜的发光特性研究
论文摘要由于晶体Si的带间跃迁发光效率比GaAs等化合物半导体低3-5个数量级,无法满足光电子器件的需要,完全的硅基光电子集成网络也一直未能面市。将富余的硅元素掺杂进Si02基...