硅纳米线论文

论文摘要当半导体材料尺度至少在空间某一维度缩小到纳米尺度范围内（1～100nm）后,将派生出很多新颖的纳米效应—表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应,以此为基础...

论文摘要波分复用技术可以在单根光纤中复用多路不同波长的信号,极大地提高了光纤通信速率和通信容量。而阵列波导光栅（AWG）由于损耗低、结构紧凑、易于与其他器件集成等优点,成为波分...

论文摘要硅纳米线材料是近年来发展起来的一种新型的非常重要的纳米半导体材料,与其块体材料相比,显现出奇异的物理和化学特性,其应用也越来越广泛,成为了目前纳米技术领域科学研究的热点...

论文摘要随着大规模集成电路的发展,场效应晶体管的特征尺寸不断按比例缩小,当器件尺寸进入纳米尺寸时,会面临着严重的短沟道效应。围栅Si纳米线器件结构具有最佳的栅控能力和优良的输运...

论文摘要近年来,纳米材料由于其独特的性能及应用成为研究学者关注的焦点。硅纳米线具有独特的结构、电学、光学和热学性能,因而在纳米电子器件、传感器、太阳能电池及锂离子电池等领域有着...

论文摘要二十世纪九十年代以来,低维纳米材料特别是一维半导体纳米材料的制备及其应用已经引起了物理、化学、材料、信息技术等领域研究学者们的关注。一维半导体纳米材料及由其组成的功能器...

论文摘要硅纳米线具有非常好的半导体稳定性、电子传输特性和较低的场发射开启电压，在纳米器件中的应用潜力非常大。硅纳米线的实验研究受到实验设备的限制，因而计算机数值模拟成为研究纳米...

论文摘要硅由于具有在地壳中储量丰富,无毒等优点,成为目前能量开发、利用和存储领域研究的热点材料。在对以薄膜叠层电池和纳米结构电池为代表的第三代高效太阳电池的研究与开发中,微晶硅...

论文摘要多孔硅具有独特的微观结构、大的体积表面比、特殊的半导体能带结构、良好的化学稳定性使其在SOI技术、微传感器技术等众多方面得到极大重视。近年来,随着MEMS技术的迅猛发展...

论文摘要硅是现代微电子行业的基础材料,但它是一种间接带隙的半导体材料,不能直接发光,这就大大限制了硅在高速光电子集成电路中的应用。硅纳米材料的出现,给人们带来了硅直接发光的曙光...

论文摘要纳米线围栅器件结构凭借其理想的栅控能力被认为是MOSFET进入纳米尺度的最终选择。本论文提出一种与传统CMOS器件工艺方法兼容的在体硅衬底上制备大扇出源漏硅纳米线围栅器...

论文摘要一维纳米材料具有比表面积大、活性高、容易实现化学修饰等特点,使其在化学、生物传感器研究中备受关注。到目前为止,一维纳米结构的传感器主要采用电学或电化学方法,光化学研究甚...

论文摘要一维纳米结构的硅材料是一类新型的半导体光电材料,由于它具有体硅材料稳定的半导体性,能和当代成熟的微电子技术相兼容,有望将来能够在纳米器件中得到广泛的应用。本文对硅的一维...

论文摘要一维纳米材料的制备与表征是目前晶体生长领域的重要研究方向。本论文的研究涉及两种一维纳米材料:硅纳米线和ZnO纳米棒。硅纳米线（SiNWs）是一种新型半导体光电材料,具有...

论文摘要本论文的初期工作是制备层状有序的、含氧量低的高纯度硅纳米线。接着,研究重点是在制备得到的一维硅纳米线上进行修饰。实验结果表明,得到的复合材料作为一种性能良好的催化剂可用...

论文摘要一维硅纳米线（SiNWs）和氧化锌（ZnO）纳米线的制备和特性研究是当今纳米科技最重要的研究热点。如果能将二者结合制备出纳/微米尺度的Si/ZnO异质结,将会对“自下而...

论文摘要硅纳米线由于特殊的物理性质和潜在的应用前景而越来越受到人们的重视。其较高的比表面积非常适合制作各种传感器，其特殊的机械特性也引发了人们制作纳米谐振器的兴趣。为实现纳米线...

论文摘要由于与现有硅技术有良好的兼容性,一维硅基纳米材料有潜力成为硅纳米器件的基材,硅纳米管作为重要的硅基纳米材料之一,引起了人们极大的研究兴趣。由于硅为sp3杂化,易形成实心...

本文主要研究内容作者王珊珊,殷淑静,梁海锋,韩军（2019）在《金催化的硅纳米线的可控制备及光学特性研究》一文中研究指出：硅纳米线是新型一维半导体纳米材料的典型代表。利用阳极氧...

本文主要研究内容作者程壑,王宾,蒋孝勇,李孟委,唐军（2019）在《基于硅纳米线检测的微加速度计设计与噪声分析》一文中研究指出：利用硅纳米线压阻系数比压敏电阻压阻系数高的特性,...