硅锗论文

功率UMOSFET器件新结构及其特性研究
论文摘要功率槽栅MOS（UMOSFET）是在VDMOS和VMOS基础上发展起来的一种功率半导体器件,由于功率UMOSFET可以从工艺技术上有效的降低器件的特征导通电阻（RON）...
高k栅介质Si/Ge MOSFET迁移率模型及制备工艺研究
论文摘要在过去的几十年中,用于低功耗、高性能CMOS场效应晶体管栅介质SiO2的厚度持续减小,目前,对于纳米级CMOS器件已减小到只有几个原子层的极限厚度,使栅极漏电和静态功耗...