核壳结构纳米线论文

InP/InGaAs核壳结构纳米线MOCVD生长与表征研究
论文摘要在Si上生长Ⅲ-Ⅴ族半导体，可以用作集成光电器件的材料，备受关注。传统的层状异质结构由于不可避免地面临晶格失配和热失配问题，材料结晶质量难以保证，而纳米线的出现很好地解...