横向外延论文

衬底处理对MOCVD外延生长GaN薄膜性能的影响
论文摘要宽带隙的GaN基Ⅲ族氮化物,在高效光电子器件制作中有着广泛的应用,是半导体材料研究领域的前沿课题之一。本文利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长技术,在经过腐蚀处理...