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SrRAlO4(R=La,Nd,Sm)基陶瓷的结构与微波介电性能
论文摘要具有K2NiF4结构的MRAlO4(M=Sr,Ca;R=La,Nd,Sm)陶瓷微波介电性能优异,且制备容易、成本低,在微波高端和毫米波元件中有着十分重要的潜在应用。本文...
6H-SiC表面热氧化生长的SiO2特性研究
论文摘要碳化硅(SiC)是一种具有较大的电子饱和漂移速度、高临界击穿电场和高热导率的宽禁带化合物半导体材料。它是目前唯一能够由直接热氧化工艺生长氧化层的化合物半导体,其器件工艺...