![LaNiO3缓冲层对钙锶铋钛陶瓷膜晶粒取向的影响]()
论文摘要铋层状铁电材料（BismuthLayer-structuredFerroelectrics,BLSFs）因具有较大的剩余极化强度Pr,较低的矫顽场Ec以及抗疲劳性能好等...
![适合声表面波谐振器的ZnO薄膜研究]()
论文摘要随着信息化检测技术的发展,要求更高的传感器精度和性能。SAW传感检测技术是一项较新的传感技术。由于其灵敏度高、体积小而且便于半导体工艺相集成受到了广泛的研究。但是,目前...
![Sm-Co永磁薄膜材料的研究]()
论文摘要在功能材料领域,磁性薄膜材料作为一种很重要的分支被广泛用于微电子和信息技术,特别是在微机电系统（MEMS）中,由于其优良的性能,而被国内外科学工作者广泛关注,成为近年来...
![硅衬底上AlGaN/GaN异质结材料的生长研究]()
论文摘要氮化镓(GaN)是近年来发展最为迅速的第三代半导体材料之一。由于GaN的化学性质稳定,耐高温,直接带隙宽度大,高频大功率等特点,能够很好的弥补Si和AsGa等半导体材料...
![AlGaN/GaN异质结的C-V特性研究]()
论文摘要近年来,作为第三代半导体的代表,氮化镓（GaN）因广阔的应用前景而备受关注。商业化GaN基蓝光发光二极管（LED）和激光器（LD）的出现,吸引了更多科研机构和企业转向G...
![硅衬底上GaN外延层和AlGaN/GaN异质结的MOCVD生长研究]()
论文摘要随着商业化氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）、激光器（LD）和高电子迁移率晶体管（HEMT）的相继推出,性能卓越的GaN基器件引起了广泛的关注。然而,过高的成本和大...
![Si基ZnO薄膜制备技术研究]()
论文摘要ZnO薄膜作为一种新型宽带隙半导体材料,有其广泛应用。本文首先从理论上探讨了ZnO薄膜在微光器件中光电阴极上的潜在应用。并通过对少数载流子扩散方程的求解推导了ZnO光电...
![利用不同阴极缓冲层改善有机小分子Pentacene/C60太阳能电池的性能]()
论文摘要摘要：在有机小分子太阳能电池中,有机层与阴极的界面对器件性能的好坏起着重要的作用,通常需要在有机层与阴极之间插入缓冲层。目前关于这类缓冲层的研究主要集中在CuPc/Ce...
![ZnO基透明氧化物薄膜制备和性质研究]()
论文摘要ZnO是一种具有广泛用途的新型Ⅱ-Ⅵ族多功能半导体材料,其室温禁带宽度是3.37eV,具有良好电学和光学特性,是制作紫外探测器件和紫外发光器件的理想材料。目前生长较高质...
![涂层导体新型缓冲层制备工艺研究]()
论文摘要第二代高温超导带材REBa2Cu3O7-x（简写成REBCO,RE为钇或镧系元素）,以其优良的本征电磁特性,特别是其在高磁场下优良的载流能力,使其在电力系统中拥有广阔的...
![缓冲层、包覆层对提高ZnO纳米薄膜紫外发射性能的研究]()
论文摘要ZnO是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,它具有良好的化学稳定性和热学稳定性。在室温下,它的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,如此高的激子束缚能使Zn...
![BST热释电薄膜的缓冲层结构与性能研究]()
论文摘要钛酸锶钡（BaxSr1-xTiO3,简称BST）是一种钙钛矿结构的铁电材料,具有高介电常数、低损耗、低漏电流密度、电压非线性强等优点,尤其该材料具有优良的热释电性能以及...
![氧化法制备硅基SiGe弛豫衬底的研究]()
论文摘要Si基SiGe异质结构因其优良的性质,与成熟的Si工艺相兼容,成为制备高性能硅基微电子与光电子器件的重要材料。SiGe弛豫衬底克服了SiGe晶格失配的限制,是实现高性能...
![涂层导体中钙钛矿型缓冲层研究]()
论文摘要相对于Bi-2223／Ag第一代高温超导带材，在77K具有更好磁场载流性能的YBa2Cu3O7-d（VBCO）涂层导体的研究，已成为目前实用高温超导材料的研究热点之一。...
![化学溶液法制备涂层导体缓冲层的技术研究]()
论文摘要YBa2Cu3O7-d（YBCO）涂层导体与第一代高温超导材料Bi-2223／Ag相比，由于在77K具有良好的磁场载流性能，在工业上有着广阔的应用前景。因而低成本、高性...
![GaN及GaN基薄膜的制备、表征和特性研究]()
论文摘要本文的主要内容是利用脉冲激光烧蚀（pulsedlaserablation,PLA）产生的激光等离子体和电子回旋共振（electroncyclotronresonance...
![高分子辅助化学溶液沉积法制备REBiO3新型缓冲层]()
论文摘要第二代高温超导带材材料REBa2Cu3Ox（简写成REBCO,RE为钇或镧系元素）,由于其优良的本征电磁特性,尤其是其在高磁场下优良的载流能力,在电力系统中拥有广阔的应...
![AlGaN日盲紫外探测器材料生长及表征]()
论文摘要AlxGa1-xN半导体材料有着广泛的用途,其中之一是在紫外探测器制作中的应用。AlxGa1-xN的带隙从3.4eV到6.2eV,对应的波长范围从365nm到200nm...
![TiN_x缓冲层的制备及对一维SiC纳米材料场发射的影响]()
论文摘要TiN因具有高强度、高硬度、高熔点、高化学稳定性、耐磨损、良好的导热性等一系列优点以及在增强材料的光致发光、改变半导体的带宽等方面的应用而成为目前广泛研究的材料之一。一...
![Ti-Al缓冲层对Pb（Zr，Ti）O3异质结的结构和性能影响]()
论文摘要本实验采用磁控溅射法（MagnetronSputtering）和溶胶凝胶法（Sol-Gel）在不同衬底材料上,制备含非晶Ti-Al缓冲层的Pb（Zr,Ti）O3（PZT...
