![基于葵花籽粒结构仿生抛光垫的设计制造及运动场的研究]()
论文摘要化学机械抛光（CMP）作为集成电路制造的核心技术被广泛应用于集成电路制造过程中硅片表面的局部和全局平坦化加工。而在集成电路制造中,所应用硅片的尺寸不断在增大,而器件的尺...
![氮化硅陶瓷某典型零件化学机械抛光工艺实验研究]()
论文摘要氮化硅陶瓷材料以其强度高、耐高温、耐化学腐蚀等优良性能在工业和国防领域得到广泛应用。目前，氮化硅材料的超精密加工主要通过超硬精细磨料的研磨和精密磨削来实现。这两种精密加...
![脉冲磁场辅助磁性复合磨粒化学机械抛光工艺研究]()
论文摘要磁性复合磨粒化学机械抛光（MagneticCompositeAbrasiveChemicalMechanicalPolishing,MCA-CMP）是一种新型化学机械抛...
![硅片化学机械抛光中材料去除非均匀性研究]()
论文摘要化学机械抛光（Chemicalmechanicalpolishing,CMP）加工技术既能获得良好的加工表面全局,也能得到较好的局部平面度,因此在大规模集成电路和超大规...
![软脆晶体碲镉汞超精密磨抛的试验研究]()
论文摘要碲镉汞（Hg1-xCdxTe,MCT）晶体是Ⅱ—Ⅵ族软脆光电材料的杰出代表,是当代最重要的红外探测器材料；同时具有高吸收系数、高量子效率、覆盖波段范围广和响应速度快等一...
![MgF2单晶的加工工艺研究]()
论文摘要随着我国工业化步伐的不断加快,氟化镁晶体在光学陶瓷及玻璃、红外元件等高技术领域得到了广泛的应用。氟化镁晶体的光学性能主要依赖于它的表面质量,只有晶体表面达到超光滑表面粗...
![碱性抛光液对铜平坦化的影响研究]()
论文摘要随着极大规模集成电路（ULSI）的发展,特征尺寸进一步减小,布线层数增加,铜布线已逐步取代铝布线应用于极大规模集成电路（ULSI）的制造。铜布线超大规模集成电路的制造主...
![铜互联工艺中的DFM方法研究]()
论文摘要随着半导体技术代的快速发展，传统的SOC芯片设计逐渐变得无法制造，这个问题在铜互联技术中表现的尤为突出。本文针对铜互联工艺的几项关键技术，展开了相关的DFM基础研究，论...
![化学机械抛光流场的流体动力学数值模拟及离心力影响分析]()
论文摘要随着电子产业的发展壮大,半导体产业快速发展。为了得到更好的集成电路,就需要精微线规精确的多平层的晶片。目前,化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolis...
![钽酸钾（KTaO3）晶体的生长、表征及其应用]()
论文摘要随着通讯、信息产业的迅速发展,各种光电子元件得到快速的发展并趋于高性能化。为此,对光电子元件的关键零件—基片的材料和加工精度提出了新的要求。要求基片晶体材料具有优良的压...
![CVD金刚石膜化学机械抛光液的研制]()
论文摘要金刚石具有优异的机械性能、热力学性能、光学性能、声学性能、半导体性能及化学惰性,作为一种全方位的多功能材料,在诸多领域具有非常广阔的应用前景。尽管CVD金刚石膜的问世缓...
![SiC单晶抛光片的制备与表征]()
论文摘要由于SiC单晶材料的硬度及脆性大,且化学稳定性好,故如何获得超平滑无损伤晶片表面已成为其广泛应用所必须解决的重要问题。为此,研究SiC单晶抛光片的加工技术和表面质量的表...
![蓝宝石晶片化学机械抛光液的研制]()
论文摘要蓝宝石是一种集优良的光学性能、物理性能和化学性能于一体的多功能氧化物晶体。单晶蓝宝石具有很好的热特性、耐磨性、电气特性和介电特性,其硬度仅次于金刚石,达到莫氏9级,在高...
![氧化铈浆料中无机电解质的加入对ZF7玻璃抛光材料去除速率的显著促进作用]()
论文摘要抛光粒子的微结构控制合成及抛光浆料的调配是化学机械抛光(CMP)领域的研究热点,其技术突破直接促进到超大规模集成电路和许多高精度光学器械的发展。本论文采用不同类型的无机...
![纳米SiO2浆料中半导体硅片的化学机械抛光及其应用研究]()
论文摘要随着集成电路（IC）的快速发展,对衬底材料硅单晶抛光片表面质量的要求越来越高,化学机械抛光（CMP）是目前能实现全局平面化的唯一方法。研究硅片CMP技术中浆料性质、浆料...
![基于分子量级的化学机械抛光材料去除机理的理论和试验研究]()
论文摘要化学机械抛光（ChemicalMechanicalPolishing,简称CMP）技术是目前实现集成电路全局平坦化的唯一广泛应用技术。CMP系统由抛光垫、芯片和抛光液组...
![超声椭圆振动—化学机械复合抛光硅片技术的基础研究]()
论文摘要在深入分析国内外化学机械抛光和超声加工技术研究现状的基础上,针对硅片传统化学机械抛光技术现状及其存在问题,特别是随着硅片直径不断增大,硅片抛光表面质量和抛光效率成为一个...
![CMP纳米抛光液及抛光工艺相关技术研究]()
论文摘要集成电路发展至0.25微米工艺之后，唯一可以实现全局平坦化的化学机械抛光（CMP）已成为IC制程的关键工艺之一。更小特征尺寸工艺时代的发展对抛光液及抛光工艺应用技术提出...
![抛光垫特性及其对化学机械抛光效果影响的研究]()
论文题目:抛光垫特性及其对化学机械抛光效果影响的研究论文类型:硕士论文论文专业:机械制造及其自动化作者:吴雪花导师:金洙吉关键词:硅衬底,化学机械抛光,抛光垫,修整文献来源:大...
![阳志强：蓝宝石磁流变化学机械抛光工艺研究论文]()
本文主要研究内容作者阳志强,李宏,郭忠达（2019）在《蓝宝石磁流变化学机械抛光工艺研究》一文中研究指出：针对超光滑平面蓝宝石衬底片存在亚表层损伤的问题,文中利用磁流变抛光技术...
