化学刻蚀法论文

硅纳米线阵列的制备及性能研究
论文摘要硅材料的禁带宽度较窄,为间接带隙半导体,发光效率很低。当硅材料的尺寸减小至纳米尺寸时,由于量子尺寸效应,硅的禁带宽度变大,由间接带隙变为直接带隙,发光效率大幅度增加,可...