• PbS和PbSe材料的制备与表征

    PbS和PbSe材料的制备与表征

    论文摘要Ⅳ-Ⅵ族化合物是一种具有立方结构窄禁带的半导体材料,尤其是PbS和PbSe具有优越的电学、光学性质,使其在红外光电探测、光伏转换材料、太阳能电池、非线性光学材料、光电器...
  • 玻璃衬底ZnMgO/ZnO纳米材料的制备及性能研究

    玻璃衬底ZnMgO/ZnO纳米材料的制备及性能研究

    论文摘要氧化锌(ZnO)是一种宽带隙半导体化合物材料,室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能达到60meV,化学性质稳定,材料类型丰富,通过掺杂具有较好的光电性能。氧化镁(...
  • 碳纳米管多维多尺度杂化结构的可控制备和形成机理研究

    碳纳米管多维多尺度杂化结构的可控制备和形成机理研究

    论文摘要碳纳米管(CNTs)由于其独特的准一维结构和优越的物理化学特性,在很多方面都有着巨大的潜在应用。在碳纳米管的诸多应用中,将其用于加强复合材料的性能或制备多功能复合材料方...
  • 层状结构催化剂可控制备碳纳米材料研究

    层状结构催化剂可控制备碳纳米材料研究

    论文摘要碳纳米纤维和碳纳米管具有独特的结构和优越的性能,使得它们在复合材料、催化剂载体、储氢材料、传感器、燃料电池和电容器等方面都有应用前景。碳纳米材料的合成受到催化剂种类、载...
  • 碳纳米管及其复合材料的新合成方法与性能研究

    碳纳米管及其复合材料的新合成方法与性能研究

    论文摘要碳纳米管由于其独特的一维管状结构,优异的物理化学性能和潜在的应用前景,成为了材料科学、微电子、化学、物理等诸多领域研究的热点。同时,由于碳纳米管在一维纳米空间的量子限域...
  • 化学气相沉积可控制备碳纳米管及其复合材料

    化学气相沉积可控制备碳纳米管及其复合材料

    论文摘要碳纳米管具有独特的一维纳米结构,可以看作由石墨层片卷曲而成。由于其具有优异的电学、力学和化学特性,从1991年发现开始就引起了材料科学和凝聚态物理研究领域的广泛关注。经...
  • 碳纳米材料的制备及有机功能化修饰的研究

    碳纳米材料的制备及有机功能化修饰的研究

    论文摘要由于碳纳米管在力学、电学、热学和光学等多方面的优异性能,从其被发现之日起,就已经引起了物理、化学及材料等学科的极大兴趣。目前,对于碳纳米管在应用方面的研究已取得了较大的...
  • AlN纳米线制备技术及物性研究

    AlN纳米线制备技术及物性研究

    论文摘要一维氮化铝(AlN)纳米材料是宽禁带半导体陶瓷材料,尺寸和维度效应使其具有多种特殊的物理性能,深受人们重视。然而,目前关于一维AlN纳米材料的制备方法还存在一些问题,其...
  • 单壁碳纳米管的提纯和优化制备及其拉曼研究

    单壁碳纳米管的提纯和优化制备及其拉曼研究

    论文摘要单壁碳纳米管自发现以来,因其在力学、热学、电学等多方面的优异性能及在商业方面存在的巨大潜在应用引起了众多相关研究。有关单壁碳纳米管的制备、提纯以及结构表征等方面的研究工...
  • 纳米SnO2气敏膜的制备技术与特性研究

    纳米SnO2气敏膜的制备技术与特性研究

    论文摘要本文通过丝网印刷技术和气溶胶辅助化学气相沉积技术研究了气敏膜的制备及膜的气敏特性。采用水热法分别制备纳米SnO2和In2O3粉体,通过加入微量In2O3掺杂,并调节玻璃...
  • 取向碳纳米管阵列电极的制备及其在超级电容器中的应用

    取向碳纳米管阵列电极的制备及其在超级电容器中的应用

    论文摘要与蓄电池相比,超级电容器具有较高的比功率,与传统电容器相比,超级电容器具有较大的容量和较高的能量,且工作温度范围宽、循环寿命长,它是一种理想的新型贮能装置。它在移动通信...
  • 多壁碳纳米管的制备

    多壁碳纳米管的制备

    论文摘要以N2保护装置的管式电阻炉为为反应装置,以有机金属化合物二茂铁和双鸭山精煤的混合物为反应物,在一定的实验条件下利用化学气相沉积法成功裂解制备得到多壁碳纳米管。采用正交试...
  • 碳纳米管场致发射冷阴极的研究

    碳纳米管场致发射冷阴极的研究

    论文题目:碳纳米管场致发射冷阴极的研究论文类型:硕士论文论文专业:物理电子学作者:朱春晖导师:雷威,娄朝刚关键词:碳纳米管,化学气相沉积法,丝网印刷法,场致发射,大电流密度文献...
  • 韦宇冲:铜箔预处理及碳势对常压化学气相沉积石墨烯质量的影响研究论文

    韦宇冲:铜箔预处理及碳势对常压化学气相沉积石墨烯质量的影响研究论文

    本文主要研究内容作者韦宇冲(2019)在《铜箔预处理及碳势对常压化学气相沉积石墨烯质量的影响研究》一文中研究指出:目前石墨烯在传感器、光、电、热等领域的应用取得了一定进展,但要...
  • 王静:三氧化钼限制生长二硫化锡及快速退火对场效应晶体管的影响论文

    王静:三氧化钼限制生长二硫化锡及快速退火对场效应晶体管的影响论文

    本文主要研究内容作者王静(2019)在《三氧化钼限制生长二硫化锡及快速退火对场效应晶体管的影响》一文中研究指出:根据摩尔定律,半导体工业中,集成电路每一年半到两年时间其集成化就...
  • 孟庆远:二硫化钨薄膜的制备及其光学性能研究论文

    孟庆远:二硫化钨薄膜的制备及其光学性能研究论文

    本文主要研究内容作者孟庆远(2019)在《二硫化钨薄膜的制备及其光学性能研究》一文中研究指出:过渡金属硫族化合物(TMDCs)单层材料,具有12eV的可调直接带隙,类石墨烯的晶...