化学气相淀积论文

4H-SiC同质外延的表征及深能级分析研究
论文摘要SiC器件和其它半导体器件一样,材料的质量对于SiC器件的制备和性能具有非常重要的意义。高质量的SiC单晶是制备高性能SiC器件的基础,有利于SiC器件研制和进一步推广...
6H-SiC上3C-SiC缓冲层及SiCGe薄膜的生长
论文摘要在6H-SiC衬底上异质外延生长SiCGe薄膜,通过调节材料的禁带宽度从而实现材料对近红外和可见光的较强吸收,进而开发碳化硅在光电子技术领域的新应用,具有很高的实用价值...
后端low-k材料的制备及卷带封装的可靠性研究
论文摘要随着集成电路工艺的飞速发展,近年来,电子设备及系统正向轻、薄、短、小、低功耗、高速、多功能、高可靠性等方向迅速发展。为了满足这些要求,一方面需要在互连技术中引入低介电常...