• CuCrO2薄膜的制备与性质研究

    CuCrO2薄膜的制备与性质研究

    论文摘要宽禁带n型与p型导电氧化物半导体即透明导电氧化物(TCO)已广泛应用于太阳能电池的窗口层、平板显示器、低辐射窗、触摸屏、飞机和冰箱的除霜窗口、气体传感器、抗静电涂料等领...
  • Zn1-xMgxO薄膜的制备与表征

    Zn1-xMgxO薄膜的制备与表征

    论文摘要氧化锌是一种重要的功能材料和新型的II-VI族宽禁带隙(3.37eV)半导体材料。具有较大的激子束缚能(60meV),可实现室温下的紫外受激辐射。因此,氧化锌是一种很有...