回旋等离子体论文

SiC表面ECR氢等离子体处理研究
论文摘要SiC是第三代半导体材料，由于其禁带宽度大、热传导率高、热稳定性好，在高温、高频、大功率电子器件领域将会得到广泛的应用。但是SiC晶片表面存在很高的表面念，不利于制备良...