霍尔测量论文

宽带隙半导体（ZnO，SiC）材料的制备及其光电性能研究
论文摘要在半导体材料的发展中,一般将Si,Ge称为第一代电子材料,GaAs,InP,GaP,InAs,AlAs等称为第二代电子材料,而将宽带隙高温半导体ZnO,SiC,GaN,...