击穿电压论文

论文摘要功率MOSFET应用领域广阔,是中小功率领域内主流的功率半导体开关器件,也是DC-DC转换的核心电子器件,它占据着分立功率半导体器件市场的最大份额。基于电荷补偿原理的超...

论文摘要与Si、GaAs基等传统电力电子器件相比，宽禁带半导体材料GaN不但具有临界击穿电场高、电子饱和速率高、耐高温、抗辐照等优势，同时由于极化效应，可以与AlGaN等材料形...

论文摘要研究紫外线辐射对不均匀电场下气体放电的影响规律,具有重要的理论意义和工程运用价值。根据相关文献:地表太阳紫外线辐射随海拔高度的增加而增强;模拟太阳紫外线辐射的基本要求是...

论文摘要随着现代功率集成电路的发展,对功率器件的性能提出了更高要求。希望此类功率器件具有较高的击穿电压能力、低的导通电阻、高的工作频率、低自热效应以及较好的器件隔离性。本文介绍...

论文摘要由于碳化硅材料具有高击穿电场、高热导率、高电流密度、大禁带宽度、强抗辐射性等优良的性能,使碳化硅功率器件适用于大功率、高温度、高辐射等极端环境,因此碳化硅功率半导体器件...

论文摘要特高压输电具备超远距离、超大容量、低损耗的送电能力,能够提高资源的开发和利用效率,缓解环保压力,节约宝贵的土地资源,具有显著的经济效益和社会效益,符合我国国情和国家能源...

论文摘要随着SOI技术不断发展成熟,SOI高压集成电路因其隔离性能好、漏电流小、速度快、高温性能好和抗辐照等优点已成为功率集成电路的重要发展方向。MOS型功率器件由于良好的栅控...

论文摘要VDMOS是微电子技术和电力电子技术融和起来的新一代功率半导体器件。它与早期的MOS管不同,结构上采取了许多改进,因而具有开关速度快、输入阻抗高、负温度系数、低驱动功率...

论文摘要功率器件的应用推动了电力电子行业的迅速发展。一个理想的功率器件,希望其在关断时具有非常高的耐压能力,在通态时具有较低的正向压降;不仅能够承受非常大的电流密度,还具有较高...

论文摘要SOI（SiliconOnInsulator）高压集成电路（HighVoltageIntegratedCircuit,HVIC）因其隔离性能好、漏电流小、速度快、功耗低...

论文摘要新兴的第三代半导体材料GaN由于其禁带宽度大,击穿电场高,耐压能力强等优势,目前已成为国内外研究热点。近年来,AlGaN/GaNHEMT在微波大功率应用方面的前景已逐渐...

论文摘要针对国内外对MOS器件及功率器件的需求,以及VDMOS（即纵向双扩散MOS场效应晶体管,Vertical-Double-DiffusedMOSFET的缩写）优良的开关特...

论文摘要AlGaN/GaNHEMT器件被认为是1-50GHz频率范围内理想的微波功率器件,而第三代移动通信（3G）时代的到来,对微波功率器件的性能提出了更高的要求:一方面要求功...

论文摘要随着集成电路技术的不断发展,功率器件的研究受到了广泛关注,SOI（Silicon-on-Isolation）技术以其理想的介质隔离性能,相对简单的隔离工艺受到研究的重视...

论文摘要气体放电生成的等离子体在各个领域得到了广泛的应用,而超临界流体作为气体和液体的中间态有特殊的物理化学性质,也受到了越来越多的关注。尤其在超临界点附近,气体的导热系数、密...

论文摘要在工业高度发达的今天，气体污染所带来的损失已经严重威胁到人类的生存，解决问题的关键是迅速准确的检测到这些有毒、有污染的气体，这便是气敏传感器发展的客观依据。气敏传感器，...

论文题目:两相体放电实验和仿真研究及其在环保中的应用初探论文类型:博士论文论文专业:高电压与绝缘技术作者:邵瑰玮导师:李劲关键词:气固混合两相体,击穿电压,起晕电压,数值模拟文...

论文题目:SOI横向高压器件耐压模型和新器件结构研究论文类型:博士论文论文专业:微电子学与固体电子学作者:郭宇锋导师:李肇基关键词:击穿电压,模型文献来源:电子科技大学发表年度...