![GaN材料的缺陷分布及工艺设计对器件性能的影响研究]()
论文摘要第三代半导体材料GaN,具有直接带隙、大禁带宽度（室温下3.39eV）、强击穿电场（3MV/cm）、高电子饱和漂移速度（3×107cm/s）、和良好化学稳定性等优异特性...
![温度对换流变压器油纸绝缘击穿特性影响的研究]()
论文摘要换流变压器作为高压直流输电的核心设备之一,其运行可靠性直接关系到整个系统的安全运行。与普通电力变压器相比,运行中的换流变压器不仅承受交流电压、雷电冲击电压及操作过电压的...
![4H-SiC高压肖特基二极管及结终端技术研究]()
论文摘要碳化硅（SiC）是近十几年来迅速发展起来的第三代半导体材料之一。与传统半导体材料Ge,Si以及GaAs相比,SiC以其优良的物理化学特性和电学特性成为制造高温、大功率、...
![外场诱导下纳米杂化聚酰亚胺介电性能及微结构研究]()
论文摘要纳米科学技术的发展为新材料的开发和对现有材料的改性提供了新的思路和途径,纳米介质的出现,开辟了电介质新的应用领域。聚酰亚胺（PI）/无机材料以其独有优异的耐热性能、力学...
![菜籽绝缘油及其油纸绝缘介电谱和击穿特性的研究]()
论文摘要近年来,植物绝缘油成为国内外关注的热点课题,其闪点普遍高于300℃,满足难燃油的要求,生物降解率大于97%,即使发生泄漏也不会对水源、居住环境等造成污染。在利用基因技术...
![高压RESURF-LDMOS的研究与设计]()
论文摘要LDMOS（LateralDouble-DiffusedMOSFET）作为一种横向功率器件，其电极均位于器件表面，易于通过内部连接实现与低压信号电路以及其它器件的单片集...
![纳米杂化薄膜微结构分子模拟与表征及电性能]()
论文摘要本文采用X射线衍射和小角X射线散射分析、扫描电镜、透射电镜分析及材料结构与性能模拟软件等方法，研究溶胶-凝胶方法制备无机纳米颗粒杂化聚酰亚胺薄膜和Dupont100CR...
![低压低功耗Halo MOSFET的分析与设计]()
论文摘要低压低功耗MOS集成电路是半导体集成电路的发展方向,除了电路设计技术的改进,MOS集成电路器件结构的设计也是实现集成电路低压低功耗的重要因素。体硅MOS器件特征尺寸缩小...
