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钽掺杂铪基高k栅介质薄膜的离子束制备与表征
论文摘要为了解决由栅介质层过薄而引起的漏电流显著增加的难题,人们引入了一种具有高介电常数(高k)的材料来取代传统的SiO2。其中,铪基高k材料由于具备较高的介电常数和结晶温度、...