接触电阻率论文

金属/锗硅固相反应及其接触特性研究
论文摘要随着集成电路器件尺寸的持续缩小,短沟道效应等原因使得MOS器件性能的继续提高遇到了严峻的挑战,SiGe被引入到新型的器件结构中,通过在沟道中产生应变来提高沟道载流子的迁...
高温环境及大电流密度应力下GaN基欧姆接触退化机理的研究
论文摘要GaN半导体材料以其宽带隙、电子饱和速度高等优点,在高温、大功率微波器件领域成为人们研究关注的重要材料。做为潜在的极端恶劣环境下工作的GaN器件,器件参数在恶劣环境下的...
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管模型、关键工艺及器件制作
论文摘要AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）由于具有大的直接带隙能、高的饱和漂移速度、大的导带不连续性、良好的热稳定性以及强的自发和压电极化效应,从而在高频、高温和...