![镁合金/镀锌钢异种材料激光熔钎焊特性研究]()
论文摘要为了实现汽车轻量化的目标,镁合金和高强镀锌钢在汽车工业中的应用越来越广泛,因而镁合金/镀锌钢的连接将是一个不可避免的问题。而镁与钢的物理性能差异大,没有冶金反应,使此二...
![InAs/GaSb体系非制冷红外探测材料研究]()
论文摘要采用低压金属有机物化学气相沉积（LP-MOCVD）设备,在（100）面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料,它可用来制作非制冷红外探测器。分析了In...
![PZT薄膜界面“钝化”层电容测试方法的研究]()
论文摘要铁电存储器以其优越的存储特性得到了广泛的关注,其中应用和研究最为广泛的铁电材料是锆钛酸铅Pb(Zr1-xTix)O3（简称PZT）。PZT具有较低的处理温度（最低结晶温...
![苹果表皮与表面残留农药界面层的研究]()
论文摘要苹果农药残留问题成为阻碍我国苹果产业国际化的主要障碍。目前,在苹果农药残留问题的研究中,样品主要来源于全果或苹果的一部分（如果肉、果皮）,其研究结果具有平均性。苹果中残...
![铋层状铁电材料铁电性能的相场理论分析]()
论文摘要近年来,铁电薄膜已成为新型功能材料及微器件的研究热点。然而,可靠性问题如疲劳和印记被认为是器件应用的障碍。因此,理解这些失效的物理机制对铁电材料以及铁电薄膜存储器的应用...
![GaN肖特基器件电学性质的模拟研究]()
论文摘要氮化镓(GaN)基宽禁带半导体材料是制备高温、高功率、高频电子器件以及发光管、紫外探测器等光电子器件的重要材料。GaN基发光管在节约能源方面有着巨大的应用前景,而使用G...
![高k栅介质Si/Ge MOSFET迁移率模型及制备工艺研究]()
论文摘要在过去的几十年中,用于低功耗、高性能CMOS场效应晶体管栅介质SiO2的厚度持续减小,目前,对于纳米级CMOS器件已减小到只有几个原子层的极限厚度,使栅极漏电和静态功耗...
![高k-ZrO2基薄膜生长行为及其稳定性的研究]()
论文摘要利用高k介电薄膜材料替代传统的SiO2栅介质层是满足发展亚0.1μm以下尺寸的超大规模集成电路的要求,是目前微电子领域的研究热点之一。ZrO2薄膜因其具有合适的介电常数...
![CVI法制备SiCp/SiC复合材料的微结构与性能研究]()
论文摘要SiC陶瓷密度低、硬度高、热膨胀系数低、导热性好、抗氧化性好,并且具有良好的高温强度和抗热震性,但由于其韧性不足而使其应川受到限制,因此常采用纤维、晶须和颗粒来增韧。其...
![纳米金刚石涂层场发射阴极工艺改进及理论研究]()
论文摘要场发射显示器件(FED)综合了CRT和平板显示器件的优点是当前研究的一大热点。各种类型的金刚石材料具有优良的物理化学性能,将其作为场发射阴极材料已成为目前FED开发的重...
![耿胜彪：内聚力模型在复合材料界面层中应用论文]()
本文主要研究内容作者耿胜彪,沙云东（2019）在《内聚力模型在复合材料界面层中应用》一文中研究指出：加工制造复合材料时,界面最难控制且大多是最为薄弱的部分,在承受载荷时,界面层...
