界面电荷论文

半导体共振隧穿及零维体系中全带电子结构的计算
论文摘要半导体低维结构所具有的独特物理性能促进了新一代半导体器件的发展。近年来,半导体共振隧穿及零维量子点体系由于在自旋电子学和量子计算中具有潜在的应用,受到人们广泛的重视。本...
双介质埋层SOI高压器件的研制
论文摘要SOI（SiliconOnInsulator）高压集成电路（HighVoltageIntegratedCircuit,HVIC）因其隔离性能好、漏电流小、速度快、功耗低...