![a-Si：H/c-Si异质结界面特性的理论研究]()
论文摘要a-Si:H/c-Si异质结太阳电池结合了薄膜硅的工艺优势与晶体硅电池的优点,具有实现高效低成本硅太阳电池的发展前景。影响a-Si:H/c-Si异质结性能的两个关键界面...
![金属栅/高K栅介质层/Ge MOS电容研究]()
论文摘要随着MOS器件尺寸的缩小,进一步提高器件工作性能面临诸多挑战。许多新技术被开发出来用以克服这些挑战,例如为降低栅极漏电流需用高κ栅介质代替传统的Si02栅介质；为解决引...
![亚微米MOS器件的热载流子效应研究]()
论文摘要随着微电子技术的迅速发展,MOS器件特征尺寸不断按比例减小,导致热载流子效应日益严重。近三十年来,MOS器件热载流子效应的研究已经成为了集成电路可靠性问题的重要研究课题...
![肖特基二极管抗辐照能力表征技术研究]()
论文摘要为了满足航天电子系统对SBD抗辐照能力进行评估的要求,本论文课题通过理论研究和60Coγ射线辐照实验数据分析,研究了器件辐照损伤效应及其抗辐照能力的表征方法。文中设计了...
![Ni基全硅化物金属栅工艺、特性及表征技术研究]()
论文摘要随着CMOS器件尺寸的不断变小,一方面由于通过SiO2或SiON栅介质的隧穿电流呈数量级的增大,SiO2和SiON栅介质需要被具有更高介电常数（高k）的介质所取代,另一...
![硅锗薄膜上低维结构及PL光谱研究]()
论文摘要本文用强激光直接辐照和弱激光辐照辅助电化学刻蚀方法在硅锗合金薄膜上形成多种低维量子结构。本文围绕着两个方面进行研究:一是探讨不同的实验条件,对形成低维量子结构的影响;二...
![GaN MOSFET器件特性计算机模拟分析与研究]()
论文摘要GaNMOSFET器件在高温、高频、大功率等方面具有广阔的应用前景,受到越来越多关注,目前对该器件的研究正处于起步阶段。对于n-GaNMOSFET器件,实验上的文章相对...
![I/O PMOSFET热载流子损伤机理研究]()
论文摘要本文对用于片上系统输入输出电路的PMOSFET热载流子损伤进行了研究。在前人理论研究的基础上,讨论了PMOSFET中热载流子损伤引起的栅氧化层缺陷,结合实验解释了局部热...
![超深亚微米CMOS器件GIDL电流及其可靠性研究]()
论文摘要栅致漏极泄漏(GIDL)电流已经成为影响小尺寸MOS器件可靠性、功耗等方面的主要原因之一,它同时也对EEPROM等存储器件的擦写操作有重要影响。当工艺进入超深亚微米时代...
