界面态密度论文

SiC MOS界面氮等离子体改性及电学特性研究
论文摘要碳化硅（SiC）半导体由于具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优异特性，使其在高温、高功率、高频、高辐射等领域应用前景广阔，其研究广为关注。与其它宽带隙半导体相比，SiC...