结终端论文

4.5kV IEGT的IE效应与特性分析
论文摘要电子注入增强型栅极晶体管IEGT（InjectionEnhancementGateTransistor）是由IGBT发展而来的。1994年由日本东芝公司开发成功。由于I...
4H-SiC高压肖特基二极管及结终端技术研究
论文摘要碳化硅（SiC）是近十几年来迅速发展起来的第三代半导体材料之一。与传统半导体材料Ge,Si以及GaAs相比,SiC以其优良的物理化学特性和电学特性成为制造高温、大功率、...