![ZnO薄膜的表面形貌与应力特性研究]()
论文摘要ZnO是宽禁带直接带隙半导体材料,禁带宽度达3.37eV,ZnO的激子束缚能为60MeV,高于GaN材料的21MeV,更易于实现室温紫外受激发射。而且,ZnO易于找到晶...
![Fe3O4薄膜的制备和低温物性研究]()
论文摘要近二十年来,为了将磁电子学应用到现在已经非常成熟的半导体产业中,很多人逐渐把注意力集中到半导体磁电子学上来。这门新兴学科的主要优点是可以与传统的金属氧化物半导体工艺兼容...
![典型的铁磁、铁电氧化物薄膜界面分析与界面控制方法的研究]()
论文摘要钙钛矿结构的铁电氧化物薄膜和尖晶石结构的铁磁氧化物薄膜因其独特的电、磁学特性和宽广的应用前景受到了材料科学界的广泛关注，成为近年来介质氧化物薄膜研究的热点。在这类复杂结...
![金属纳米线阵列的制备及其表面增强光谱研究]()
论文摘要纳米线及其阵列材料是纳米材料应用研究中的热点。基于纳米线阵列为基底的表面增强拉曼散射（SERS）和针尖增强拉曼散射（TERS）研究对于形成新的一维增强基底,丰富SERS...
![镧锰氧化物与硅异质结的制备及电学性能研究]()
论文摘要由于其与众不同的属性，特别是其巨磁阻（CMR）效应，通式为La1-xAxMnO3（其中A是碱土离子，例如Ca，Sr和Ba）的镧锰氧化物吸引了广泛的注意。这种钙钛矿氧化物...
![L-MBE法生长ZnO薄膜的p型掺杂及分析表征]()
论文摘要近年来，ZnO由于其良好的激子发光特性而受到众多研究机构的关注。其具有比GaN和ZnSe材料更高的室温激子束缚能，有望实现室温甚至更高温度下运转的低阈值紫外发光器件。目...
![氧化物铁电薄膜生长与界面控制方法研究]()
论文题目:氧化物铁电薄膜生长与界面控制方法研究论文类型:博士论文论文专业:材料物理与化学作者:魏贤华导师:李言荣关键词:铁电薄膜,生长机理,缓冲层,激光分子束外延,反射高能电子...
![冯中沛：基于高通量技术的超导组合薄膜制备及其物性研究论文]()
本文主要研究内容作者冯中沛（2019）在《基于高通量技术的超导组合薄膜制备及其物性研究》一文中研究指出：以发现Hg金属单质4.2K的超导电性作为开端,超导领域相关科研探究工作迄...
