![新奇铁基超导材料和有机量子自旋液体材料的角分辨光电子能谱研究]()
论文摘要固体中的电荷、自旋、轨道、晶格等自由度相互竞争和合作,使其呈现丰富多彩的物理性质和电子基态相图。新奇材料的合成,新奇物态的出现,伴随着理论的发展和实验技术手段的进步,这...
![InGaN太阳能电池的建模仿真与设计]()
论文摘要氮化镓铟(InGaN)太阳能电池是一种新型的半导体太阳能电池,它凭借禁带宽度可调且与太阳光谱完美匹配的特点,已成为国际上氮化物材料和新型高效太阳电池研究领域的前沿研究方...
![Ⅲ族氮化物量子阱光电子学特性和应用的研究]()
论文摘要Ⅲ族氮化物半导体,包括AlN,GaN和InN及它们所组成的三元化合物AlGaN,InAIN,InGaN和四元化合物InAlGaN,因为其禁带宽度覆盖了紫外到可见光的重要...
![GaN蓝光LED生长特性研究]()
论文摘要本文主要介绍了GaN基蓝光LED具体生长方法,介绍各参数对产品性能的影响,并介绍了一些提高产品性能的手段：（1）、首先介绍了GaN的基本性质和生长过程中的主要影响参数,...
![纳米碳黑/碳纤维混凝土的长期力学性能和压敏性的研究]()
论文摘要本文在素混凝土中掺入适量的纳米碳黑或碳纤维,对纳米碳黑混凝土和碳纤维混凝土的长期力学性能和长期压敏性能进行了研究,并将之与素混凝土的性能进行比较。具体内容包括:(一)、...
![电迁移引起的微小尺寸无铅焊点的组织演化]()
论文摘要随着电子封装互连焊点的尺寸越来越小,焊点内的电流密度越来越大,电迁移逐渐成为影响封装可靠性的关键问题之一引起广泛关注。电子制造工业中已经广泛采用无铅钎料代替SnPb共晶...
![浮法玻璃表面渗锡研究及电气石纳米薄膜制备与性能表征]()
论文摘要本篇论文工作分为两个方面。第一,针对浮法玻璃材料特定的渗锡缺陷,采用多种现代分析手段进行了渗锡形成机理的研究,对减轻渗锡的处理方法中的科学问题等进行了讨论,确认了新的定...
![外商直接投资对我国收入分配影响机制探讨]()
论文摘要本文从FDI的技术外溢、FDI与贸易之间的关系以及FDI的区域极化效应三个方面着手深入剖析了FDI影响我国收入分配的机制。首先，由实证分析得出FDI在我国产生了正的技术...
![AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的模型研究]()
论文摘要氮化镓（GaN）是近十几年来迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料之一,其化学性质稳定、耐高温、耐腐蚀,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件以及蓝光、...
![AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管模型、关键工艺及器件制作]()
论文摘要AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）由于具有大的直接带隙能、高的饱和漂移速度、大的导带不连续性、良好的热稳定性以及强的自发和压电极化效应,从而在高频、高温和...
![硒化镉室温核辐射探测器的表面电极研究]()
论文摘要硒化镉（CdSe）是直接跃迁宽禁带隙的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料。由于它具有平均原子序数较高,禁带宽度较大,晶体中电子和空穴迁移率较大,载流子迁移率-寿命积较大等良好的物...
