![基于数据保持电压的低功耗SRAM设计]()
论文摘要静态随机存储器(SRAM)因其快速存取,高可靠性及其与逻辑电路的兼容性在目前的系统级芯片(SOC)中占据了非常重要的位置。随着工艺的不断进步,SRAM的面积及功耗在SO...
![高速低功耗先入先出存储器电路设计与版图实现]()
论文摘要现代IC设计中一个不可避免的问题是,在系统与系统以及系统与外同芯片通信的设计中会出现多时钟域的情况,而采用异步先入先出（FIFO）存储器来满足系统间高速数据传输的要求,...
![X微处理器高可靠低功耗SRAM的研究与设计实现]()
论文摘要随着微电子技术的飞速发展,为了提高系统芯片（SOC）的性能,都会在SOC内嵌各种存储器,尤其是静态存储器（SRAM）,嵌入式SRAM由于兼容标准的CMOS工艺成为嵌入式...
![静态随机存储器位单元与测试结构设计优化]()
论文摘要在摩尔定律的持续推动下,集成电路制造工艺的触角已经延伸至深亚微米领域,而作为逻辑工艺开发的重要辅助工具,嵌入式静态随机存储器(SRAM)以其极高的工艺缺陷覆盖率、可精确...
![姬庆刚：电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响论文]()
本文主要研究内容作者姬庆刚,刘杰,李东青,刘天奇,叶兵,赵培雄,孙友梅,陆妩,郑齐文（2019）在《电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响》一文中研究指出：电离总剂量(TID)与单粒子效应(SEE)是纳米SRAM器件在航天应用中的主要威胁。随着CMOS工艺的进步,两种辐射效应在纳米SRA...
