金属半导体场效应管论文

GaAs MESFET和HEMT大信号模型的研究
论文摘要砷化嫁（GaAs）晶体是一种电学性能优越的Ⅲ一V族化合物半导体材料,以其为衬底制作的半导体器件及其集成电路由于具有信息处理速度快、超高频、低功耗、低噪声等突出的优点而得...