金属半导体场效应晶体管论文
GaAs多层异质外延结构材料和SiC MESFET结构材料的X射线双晶衍射分析
论文摘要X射线双晶衍射法(XRD)能够分析生长材料的结晶完整性、均匀性、层厚、组分、应变、缺陷和界面等重要信息,同时具有非破坏性、精度高、操作简便等优点,逐渐成为对晶体质量测试...碳化硅场效应器件的模型及关键工艺技术研究
论文题目:碳化硅场效应器件的模型及关键工艺技术研究论文类型:博士论文论文专业:微电子学与固体电子学作者:王平导师:杨银堂关键词:碳化硅,电子霍耳迁移率,蒙特卡罗,金属半导体场效...