金属互连论文

论文摘要砷化镓微波单片集成电路（GaAsMMIC）是应用于高频、高速、高功率环境下的集成电路,它的主要制造工艺有：异质结双极型晶体管（HBT）、应变式高电子迁移率晶体管（pHE...

论文摘要随着VLSI特征尺寸向着深亚微米级甚至纳米尺度发展，其互连线截面积越来越小，其承受的电流密度大幅度增加，电迁移引发的失效越来越显著，引起人们极大关注。本文在电迁移失效机...