金属绝缘层半导体论文

硅基ZnO（MgZnO）薄膜及发光器件
论文摘要近年来,Ⅱ-Ⅵ族半导体ZnO由于具有3.37eV的宽直接带隙、60meV的高激子束缚能、抗辐射能力强、湿化学腐蚀容易和制备工艺相对简单等优点,引起了人们巨大的研究热情。...