金属栅论文

金属栅/高K栅介质层/Ge MOS电容研究
论文摘要随着MOS器件尺寸的缩小,进一步提高器件工作性能面临诸多挑战。许多新技术被开发出来用以克服这些挑战,例如为降低栅极漏电流需用高κ栅介质代替传统的Si02栅介质；为解决引...
高k栅介质Ge MOS器件迁移率模型及制备工艺研究
论文摘要随着器件尺寸的不断缩小和电路集成度的不断提高,高k/多晶硅栅结构中的费米钉扎使得多晶硅不再是理想的栅电极。有研究称高k/金属栅结构不仅可以获得低栅薄层电阻、无耗尽的栅、...