![MOCVD工艺沉积YBCO超导层实验研究]()
论文摘要因其良好的液氮温度下的磁场性能、潜在的低制备成本和较低的交流损耗,第二代钇系YBa2Cu3O7-δ（YBCO）高温超导带材受到普遍关注,有着广泛的应用前景,如超导发电机...
![外延GaN衬底上ZnO：Ga薄膜的制备及特性研究]()
论文摘要宽禁带氧化物透明导电薄膜具有在可见光区域透过率高、红外波段反射率高以及导电性能优良等特点,而GaN材料则具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、导热性好等特点,二者在光电器...
![MOCVD法制备锌锡氧薄膜及其特性研究]()
论文摘要在科学技术日新月异的今天,半导体材料的发展经历了第一代以锗、硅为代表的元素半导体,第二代以砷化镓、磷化铟为代表的化合物半导体,第三代半导体材料则以氮化镓、碳化硅、氧化锌...
![InP/InGaAs核壳结构纳米线MOCVD生长与表征研究]()
论文摘要在Si上生长Ⅲ-Ⅴ族半导体，可以用作集成光电器件的材料，备受关注。传统的层状异质结构由于不可避免地面临晶格失配和热失配问题，材料结晶质量难以保证，而纳米线的出现很好地解...
![ZnO基Ⅱ型纳米异质结构的合成与光学性质研究]()
论文摘要低维半导体纳米材料由于其具有独特的理化特性近来得到了人们的广泛关注。半导体纳米线已经成为纳米科学领域内的研究热点问题。基于半导体纳米线的纳米器件已经应用到光电子器件、能...
![镓铟氧化物薄膜和氧化锡薄膜的制备与性质研究]()
论文摘要随着当今透明光电子器件的不断发展,要求透明导电薄膜的透明区域向紫外波段扩展,而且目前光电子学研究的一个重要领域是寻找短波长发光半导体材料。为满足紫外透明光电子器件和紫外...
![MOCVD法制备氧化锌发光器件及薄膜晶体管的研究]()
论文摘要氧化锌材料是一种直接带隙宽禁带半导体材料,其在固体照明、信息存储以及显示领域具有巨大的应用潜力。然而,高质量、稳定、可重复的p-ZnO薄膜的制备一直存在较大困难,使得Z...
![MOCVD技术与GaN材料外延工艺]()
论文摘要发光二极管（LED）是一种电致发光器件,自上世纪60年代被发明以来,尤其是90年代以后得到了迅猛的发展。随着相关的新结构、新材料及新工艺的不断发展和更新,它的性能也得到...
![ZnO薄膜的MOCVD制备及ZnO/Si发光器件研究]()
论文摘要鉴于当前所制备ZnO材料的质量还达不到器件级水平,尤其是p型掺杂问题没有得到很好地解决,以及制作得到的ZnO基发光器件效率过低等问题,本论文围绕MOCVD技术制备ZnO...
![AllnN材料的生长及其紫外LED的研制]()
论文摘要GaN基材料的禁带宽度从0.7eV-6.2eV连续变化,其对应的辐射波长覆盖了紫外与可见光区域,因此其材料在航空、军事、民用等领域具有非常广泛的应用前景,其中采用GaN...
![衬底处理对MOCVD外延生长GaN薄膜性能的影响]()
论文摘要宽带隙的GaN基Ⅲ族氮化物,在高效光电子器件制作中有着广泛的应用,是半导体材料研究领域的前沿课题之一。本文利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长技术,在经过腐蚀处理...
![高质量SnO2薄膜的制备及特性研究]()
论文摘要近年来,由于对短波长发光器件的巨大市场需求,人们越来越关注于宽禁带半导体的研究。ZnO（带隙为3.37eV,激子束缚能为60meV）和GaN（带隙为3.4eV,激子束缚...
![氮化镓基LED芯片的制备研究]()
论文摘要GaN是一种宽禁带半导体材料，在室温下其直接带隙宽度为3.39eV，具有热导率高、耐高温、耐酸碱、高硬度等特性，是第三代半导体的代表。这些特性使GaN基材料广泛地被用于...
![负载型纳米TiO2光催化剂的MOCVD制备、改性及应用研究]()
论文摘要纳米TiO2由于其卓越的光催化性能在水处理中被广泛研究。但是,在实际应用中纳米TiO2存在回收困难、易团聚、对废水矿化度低等问题。针对以上问题,本文采用金属有机化学气相...
![ZnO薄膜的MOCVD生长及GaN/Si绿光LED特性研究]()
论文摘要本论文分为两大部分。第一部分为氧化锌薄膜的MOCVD生长及性能研究；第二部分为硅衬底氮化镓基绿光LED材料生长及器件性能研究。第一部分：氧化锌作为一种多功能材料，已经有...
![硅衬底GaN基蓝光LED材料生长及器件研制]()
论文摘要宽禁带Ⅲ—Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长发光器件、短波长激光器、光探测器以及高温、高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景而备受关注，发展十分迅速。由于GaN体单晶难...
![PLD和MOCVD方法生长的ZnO薄膜结构及发光性能]()
论文摘要近年来,随着GaN蓝绿光发光管、激光器的迅速发展,ZnO作为一种可以替代GaN的材料受到人们的普遍关注。ZnO是一种直接宽带隙半导体材料,室温下它的能隙宽度为3.37e...
