金属有机气相淀积论文

MOCVD TiN阻挡层薄膜工艺性能研究
论文摘要随着集成电路器件尺寸的缩小,晶体管的速度越来越快,互连线的寄生电容和分布电阻所导致的传输时延逐渐增大。为了降低互连时延,金属接触和通孔生产工艺经历了巨大变革。氮化钛作为...